حافظه‌ای با ظرفیت تمامی کتاب‌های جهان

دانشمندان هلندی حافظه‌ای جدید طراحی کرده‌اند که از اتم کلر به عنوان رسانای ذخیره‌ساز در آن استفاده شده است و ظرفیت ذخیره‌سازی آن ۵۰۰ برابر بالاتر از حافظه‌هایی است که پیش از این مورد استفاده قرار گرفته است.

ساندر اُته (Sander Otte) سرپرست پژوهشگران دانشگاه فنی شهر دلفت هلند می‌گوید: «به لحاظ نظری می‌توان تمام کتاب‌هایی که تا کنون در جهان نوشته شده است روی یک حافظه با ابعاد یک تمبر پستی ذخیره کرد».

این فناوری جدید از شکافی که بین شبکه‌های اتم‌ کلر روی یک سطح مسی قرار دارد جهت ذخیره بیت و بایت استفاده می‌کند. می‌توان سطح این حافظه را به یک پازل تشبیه کرد.

پژوهشگران این تیم روش تحقیقی خود را در روزنامه علمی "نیچر نانوتکنولوژی" چنین تشریح کردند: «آنها از خاصیت اتم کلر که می‌تواند روی سطحی از مس به طور مستقل به شکل شبکه‌های دو بعدی مرتب شوند استفاده می‌کنند، سپس درون شبکه‌ها شکافی به نام "واکانس" به‌وجود می‌آورند تا بتوانند از اتم‌های کلر کمتری برای پوشش کامل سطح استفاده کنند.

از یک شکاف و یک اتم کلر یک بیت تشکیل می‌شود که کوچکترین واحد ذخیره به شمار می‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌‌آید.

نگارش با میکروسکوپ

دانشمندان برای ذخیره اطلاعات باید اتم‌ها را به حرکت درآورند. این کار به کمک یک میکروسکوپ تونلی انجام می‌گیرد. این دستگاه به وسیله یک سوزن بسیار ظریف ساختار اتمی مواد را تجزیه می‌کند. سپس برقی با ولتاژی برابر با یک میکروآمپر در این سوزن جریان می‌یابد و همین امر باعث می‌شود که یک اتم کلر آزاد شده و در شکاف جابه‌جا شود.

این روند تا حد زیادی به شکل خودکار انجام می‌شود. میکروسکپ تونلی به وسیله کامپیوتر اتم‌ها را از شکافی به شکاف دیگر هل می‌دهد تا این که میدان بیت کاملی شکل گیرد. برای این‌که شکاف اتم‌های کلر ثابت بمانند هر بیت در محاصره اتم‌های کلر قرار می‌گیرد و در نتیجه بیت‌ها مستقیم کنار یکدیگر قرار نمی‌گیرند.

پژوهشگران برای قدردانی از فیزیکدان آمریکایی ریچارد فاینمن که الهام بخش آنها در این کار پژوهشی بوده است، بخشی از سخنرانی مشهور او در سال ۱۹۵۹ را روی تنها ۱۰۰ نانومتر ثبت کردند.

بسیاری از پیشرفت‌هایی که در زمینه فن‌‌‌‌‌آوری نانو صورت گرفته مدیون این سخنرانی تاریخی است که یکی از جملات آن این است: « فضاهای زیادی در آن پایین وجود دارد».

در حال حاضر خوانش با حافظه‌ای با ظرفیت ۶۴ بیتی یک دقیقه و نگارش دو دقیقه زمان می‌برد. سرعت حافظه‌های اتمی از این بسیار پایین‌تر است.

استیون اروین، پژوهشگر لابراتوار تحقیقی واشنگتن در مجله "نیچر نانوتکنولوژی" می‌نویسد: «صرفنظر از پیچیدگی‌هایی که سرعت نگارش و خوانش ممکن است فراهم آورد، آنچه مهم است دستاوردی است که این فن‌‌آوری به همراه دارد.»